- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374352 > KM29N16000ATS (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29N16000ATS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/21頁(yè) |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | KM29N16000ATS |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)
KM29N16000ATS
FLASH MEMORY
14
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
CE
CLE
R/B
I/O
0 ~ 7
WE
ALE
RE
60H
A
16
~ A
20
A
8
~ A
15
Auto Block Erase Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Erase
I/O
0
=1 Error in Erase
DOH
70H
I/O
0
Busy
t
BERS
t
WB
Block
Address
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
90H
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00H
ECH
Note*
t
REA
Note* KM29V16000 : EAH
KM29N16000 : 64H
KM29W16000 : EAH
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29N32000IT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29N32000T | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29N32000TS | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29U128IT | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U128T | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29U128IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U128T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29V16000AIT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。