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參數(shù)資料
| 型號： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 42/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
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Figure 22. Crossing of first word boundary in burst read mode.
- 47 -
K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
Case3 : Start from "16N+4" address group
Case 4 : Start from "16N+15" address group
NOTE :
1) Address boundary occurs every 16 words beginning at address 000000FH , 000001FH , 000002FH , etc.
2) Address 000000H is also a boundary crossing.
3) No additional clock cycles are needed except for 1st boundary crossing.
CE
OE
RDY
CLK
AVD
tCEZ
tOEZ
tOER
00
0F
11
12
13
14
Additional 2 Cycle for First Word Boundary
10
≈
14th rising edge CLK
CR setting : A14=1, A13=0, A12=1, A11=0
0E
A/DQ0:
A16-A24
≈
11
12
13
10
0E
≈
A/DQ15
Aa
0F
CE
OE
RDY
CLK
AVD
tOER
00
10
11
Additional 13 Cycle for First Word Boundary
14th rising edge CLK
CR setting : A14=1, A13=0, A12=1, A11=0
≈
A/DQ0:
A16-A24
≈
10
11
≈
12
≈
A/DQ15
Aa
3F
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S2815ETE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die NOR FLASH |
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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