- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296260 > K8S1215EZC-SC1C0 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 37/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當(dāng)前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁
Figure 16. Unlock Bypass Operation Timings
- 42 -
K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
SWITCHING WAVEFORMS
Unlock Bypass Program Operations(Accelerated Program)
Unlock Bypass Block Erase Operations
NOTE :
1) VPP can be left high for subsequent programming pulses.
2) Use setup and hold times from conventional program operations.
3) Conventional Program/Erase commands as well as Unlock Bypass Program/Erase commands can be used when the VID is applied to Vpp.
CE
AVD
OE
A16:A24
VPP
WE
A/DQ0:
A/DQ15
tVPS
VIL or VIH
VID
tVPP
PA
Don’t Care
A0h
PD
Don’t Care
CE
AVD
OE
A16:A24
VPP
WE
A/DQ0:
A/DQ15
tVPS
VIL or VIH
VID
tVPP
BA
Don’t Care
80h
30h
Don’t Care
555h for
chip erase
10h for
chip erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S2815ETE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die NOR FLASH |
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。