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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 32/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
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K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
19.5 Erase/Program Performance
NOTE :
1)25
°C, VCC = 1.8V, 100,000 cycles, typical pattern.
2) System-level overhead is defined as the time required to execute the two or four bus cycle command necessary to program each word.
3) Chip Erase time & Accel. Chip Erase time for boot block part : K8S(10/11/12/13)15ET(B)C
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Block Erase Time
64 Kword
-
0.6
3.0
sec
Includes 00h programming
prior to erasure
16 Kword
-
0.3
1.5
Chip Erase Time 3)
-
307.8
1539
Accelerated Block Erase Time
64 Kword
-
0.4
3.0
16 Kword
-
0.2
1.5
Accelerated Chip Erase Time 3)
-
205.2
1026
Word Programming Time
-
80
550
μs / word
Excludes system level over-
head
512-word Buffer Programming Time
-
1.4
7
Accelerated Word Programming Time
-
80
550
Accelerated 512-word Buffer Programming Time
-
0.7
3.5
Chip Buffer Programming Time
-
46.9
234.5
sec
Accelerated Buffer Chip Programming Time
-
23.4
117
Blank check time
-
7
-
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S2815ETE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die NOR FLASH |
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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