參數(shù)資料
型號： IXGA7N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AA
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： IXGA7N60CD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXGA 7N60CD1
IXGP 7N60CD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
3
7
S
C
ies
C
oes
C
res
500
50
17
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
25
15
10
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
10
10
65
45
ns
ns
ns
ns
mJ
130
110
0.25
0.12
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
10
15
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.15
120
85
0.22
R
thJC
R
thCK
IGBT
2.3
K/W
K/W
0.25
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 10A; T
VJ
= 150 C
1.96
2.95
V
V
T
VJ
= 25 C
I
RM
V
= 100 V; I
=25A; -di
/dt = 100 A/ s
L < 0.05 H; T
VJ
= 100 C
2
2.5
V
t
rr
I
F
= 1 A; -di/dt = 50 A/ s;
V
R
= 30 V T
J
= 25 C
35
ns
R
thJC
Diode
1.6 K/W
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
IXGB75N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
IXGH10N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA8N100 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA90N33TC 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGB16N60R2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP
IXGB16N60U3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP
IXGB200N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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