參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR44N80P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 25 A, 800 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： IXFR44N80P
2006 IXYS All rights reserved
IXFR 44N80P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
°
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
°
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
V
D S
- Volts
8
10
12
14
16
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
°
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to I
D
= 22A
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 44A
I
D
= 22A
V
GS
= 10V
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 22A
Value vs. Drain Current
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10V
T
J
= 125
°
C
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
0
4
8
12
16
20
24
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
IXFR50N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR55N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFR58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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IXFR48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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