參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR44N80P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 25 A, 800 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： IXFR44N80P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXFR 44N80P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= I
T
, Note 1
27
43
S
C
iss
C
oss
C
rss
12
nF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
910
30
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
28
22
75
27
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 44 A
R
G
= 1
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
200
67
65
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
thJC
R
thCS
0.42
°
C/W
0.15
°
C/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
44
A
I
SM
Repetitive
100
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 22 A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
250
ns
0.8
μ
C
8.0
A
Notes: 1.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %;
2. Test current I
T
= 22 A.
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
7,005,734 B2
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
IXFR50N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR55N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFR58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR48N50Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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