參數(shù)資料
型號： IXFR38N80Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Electrically Isolated Back Surface
中文描述： 28 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 568K
代理商： IXFR38N80Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFR 38N80Q2
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
Q
G
- nanoCoulombs
80
100 120 140 160 180 200
V
G
V
DS
= 400V
I
D
= 19A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3.5
4
4.5
V
G S
- Volts
5
5.5
6
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR40N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs
IXFR44N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
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IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
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參數(shù)描述
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IXFR44N50P 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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