參數(shù)資料
型號： IXFR38N80Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Electrically Isolated Back Surface
中文描述： 28 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 568K
代理商： IXFR38N80Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFR 38N80Q2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
, pulse test
25
37
S
C
iss
C
oss
C
rss
8340
890
175
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
20
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1.0
(External),
16
60
12
ns
ns
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
190
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
44
88
nC
nC
R
thJC
R
thCK
0.3
K/W
K/W
0.15
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ. max.
I
S
V
GS
= 0 V
38
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
150
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250 ns
1
μ
C
A
10
I
F
= 25A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
ISOPLUS247 Outline
Notes: 1. Test current I
= 19A
2. See IXFK38N80Q2 data sheet for
characteristic curves
相關PDF資料
PDF描述
IXFR40N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs
IXFR44N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR38N80Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR40N50Q2 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR40N50Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR40N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N50P 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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