參數(shù)資料
型號: IXFN180N15P
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PolarHT HiPerFET Power MOSFET
中文描述: 150 A, 150 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 156K
代理商: IXFN180N15P
2006 IXYS All rights reserved
IXFN 180N15P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
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0.0001
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0.01
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10
Pulse Width - Seconds
R
(
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IXYS REF: T_180N15P (88) 03-23-06-C.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN180N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻10mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN21N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.50Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFN24N100F HiPerRF Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
IXFN180N25T 功能描述:MOSFET 155A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN185N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D)
IXFN200N06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs