參數(shù)資料
型號： IXFN180N15P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 150 A, 150 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： IXFN180N15P
IXFN 180N15P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Fig. 11. Capacitance
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
C
C
is
C
os
C
rs
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
Q
G
- NanoCoulombs
100 125 150 175 200 225 250
V
G
V
DS
= 75V
I
D
= 90A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 150
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN180N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻10mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN21N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.50Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN230N10 Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN24N100 HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N100F HiPerRF Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
IXFN180N25T 功能描述:MOSFET 155A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN185N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D)
IXFN200N06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*