參數(shù)資料
型號： IXFN180N15P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 150 A, 150 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： IXFN180N15P
IXFN 180N15P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 90 A, pulse test
55
86
S
C
iss
C
oss
C
rss
7000
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
2250
pF
515
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 90 A
R
G
= 3.3
(External)
32
ns
150
ns
36
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 90 A
55
nC
140
nC
R
thJC
R
thCS
0.22
°
CW
°
C/W
0.05
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
180
A
I
SM
Repetitive
380
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
200
ns
μ
C
Α
0.6
6
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
SOT-227B Outline
相關PDF資料
PDF描述
IXFN180N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導通電阻10mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN21N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻0.50Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN230N10 Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN24N100 HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N100F HiPerRF Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
IXFN180N25T 功能描述:MOSFET 155A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN185N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D)
IXFN200N06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
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