參數(shù)資料
型號： IXFK55N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 55 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXFK55N50
2002 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
40
50
60
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
V
GS
- Volts
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I
D
0
20
40
60
80
100
I
D
I
D
- Amperes
0
20
40
60
80
100
120
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
6V
6V
5V
I
D
= 55A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
= 27.5A
R
D
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
O
C
IXF_55N50
IXF_50N50
T
J
= 25
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3.
R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
D
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
J
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
IXFK50N50
IXFN50N50
IXFK55N50
IXFN55N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN50N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50F HiPerRF Power MOSFETs
IXFN50N25 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK50N50 CAP 0.18UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK55N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK60N25Q 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK60N55Q2 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK62N25 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die
IXFK64N50P 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*