- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXE5418 Telecomm/Datacomm PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXE5418 |
| 元件分類： | 通信、網(wǎng)絡模塊及開發(fā)工具 |
| 英文描述： | Telecomm/Datacomm |
| 中文描述： | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
| 文件頁數(shù)： | 8/30頁 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | IXE5418 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁
Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
8
Data Sheet
4.0
Interface Descriptions
Table1
provides a list of IXE5418 interfaces.
Table 1.
IXE5418 Interfaces
Interface
Description
CPU
PCI compliant interface with bus mastering capability for packet and unresolved
entry transfers to CPU.
GMII/GPCS
Configurable GMII or 8B/10B encoded GPCS interface used to link the IXE5418 to
the eight Gigabit ports.
Address Table SRAM
Dual external 64-bit wide Synchronous SRAMs that are used for address storage.
The size of each device supported on the interfaces are programmable from 64K x
32 to 256K x 32, with two 32-bit devices per bank.
MDIO PHY Scanning
Phy Scan provides a parallel to serial data converter that can be used to send and
receive data to the external transceivers over the MDIO/MDC interface. The parallel
to serial data converter also is equipped with an automatic polling machine that
monitors the condition of the transceivers and interrupts the CPU on a state
change.
LED
Can be attached to four external HC595-type shift registers. Drives 4 bits of status
per port onto the interface.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXF440 | LAN HUB CONTROLLER |
| IXF6048 | Telecommunication IC |
| IXFH42N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH4N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
| IXFH50N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXEH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXEH25N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。