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參數(shù)資料
| 型號： | IXE5418 |
| 元件分類： | 通信、網(wǎng)絡(luò)模塊及開發(fā)工具 |
| 英文描述： | Telecomm/Datacomm |
| 中文描述： | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
| 文件頁數(shù)： | 5/30頁 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | IXE5418 |
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Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
Data Sheet
5
1.0
General Description
The Intel
Media Switch IXE5418 Gigabit Device supports eight10/100/Gigabit ports, integrating
the MACs, packet storage, switching, routing, and queuing logic on-chip. The IXE5418 device is
capable of wire speed Layer 2 switching and wire speed IP/IPX Layer 2/3/4 switching/routing on
all ports. It provides advanced filtering, quality of service, mirroring, prioritizing capabilities, and
Layer 4 bandwidth management features.
A system designed using an IXE5418 device requires transceivers on the 10/100/Gigabit ports,
memory for storing switching data structures and a CPU subsystem. The IXE5418 device
interfaces to the CPU subsystem via a 32-bit PCI bus.
2.0
Applications
Eight port 10/100/Gigabit Layer 2 and Layer 2/3/4 workgroup switches.
Cascadable high port count Layer 2 switches and Layer 2/3/4 switch/routers when using the
Gigabit ports for cascading.
Layer 2/3/4 switch/routers and advanced bandwidth management features.
Figure 1.
IXE5418 Block Diagram
8 x Gigabit
MACs
Switching/
Routing
Engine
Queuing
Engine
CPU
Interface
Packet
Data
Path
Embedded
3 MB
Packet
Storage
External
SSRAM
for Address
Tables
PCI Compliant
CPU Interface
Intel
Media Switch IXE5418 Gigabit Device
Gig
PHYs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXF440 | LAN HUB CONTROLLER |
| IXF6048 | Telecommunication IC |
| IXFH42N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH4N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
| IXFH50N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXEH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXEH25N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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