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參數(shù)資料
| 型號： | IXE5418 |
| 元件分類： | 通信、網(wǎng)絡(luò)模塊及開發(fā)工具 |
| 英文描述： | Telecomm/Datacomm |
| 中文描述： | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
| 文件頁數(shù)： | 18/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 367K |
| 代理商： | IXE5418 |
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Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
18
Data Sheet
7.0
Electrical and Environmental Specifications
This section summarizes the electrical and environmental specifications for the IXE5418. The
IXE5418 supports both 5V and 3.3V signaling environments.
7.1
Absolute Maximum Rating
Applying stresses beyond the absolute maximum may cause unrecoverable damage to the device.
Operation of this product is not implied for any condition beyond the ranges specified in the
functional operation range. Operating this product at the absolute maximum rating for a prolonged
period can negatively impact device reliability.
Table3
lists the absolute maximum ratings for the
IXE5418.
Caution:
Exceeding these values may cause permanent damage. Functional operation under these conditions
is not implied. Exposure to maximum rating conditions for extended periods may affect device
reliability.
7.2
Thermal Resistance
Table4
lists the thermal resistance ratings for the IXE5418
Table5
lists the thermal resistance with air flow ratings for the IXE5418
Table 3.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Sym
Min
Max
Units
Supply Voltage
Core
VDDCORE
-0.3
2.75
V
Supply Voltage IO
VDDIO
-0.3
3.6
V
Operating
Temperature
T
op
0
50
o
C
Storage
Temperature
T
st
-65
125
o
C
Table 4.
Thermal Resistance
Thermal Resistance
Parameter
Value
θ
JC
θ
CA
θ
JA
Junction to case
Case to ambient
Junction to ambient
Table 5.
Thermal Resistance with Air Flow
Thermal
Resistance
Package
0 LFPM
100 LFPM
200 LFPM
300 LFPM
500 LFPM
θ
JA
(
o
C/W)
TBGA Type IA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXF440 | LAN HUB CONTROLLER |
| IXF6048 | Telecommunication IC |
| IXFH42N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH4N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
| IXFH50N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXEH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXEH25N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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