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參數(shù)資料
| 型號： | IXE5418 |
| 元件分類： | 通信、網(wǎng)絡模塊及開發(fā)工具 |
| 英文描述： | Telecomm/Datacomm |
| 中文描述： | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
| 文件頁數(shù)： | 19/30頁 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | IXE5418 |
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Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
Data Sheet
19
Heat Sink may be required depending on the airflow in the system.
7.3
Functional Operating Range
Table 6
lists the functional operating range. Please refer to the “Absolute Maximum Rating”
section for details about the absolute maximum ratings.
7.4
3.3 Volt DC Specifications
Table 7
lists the 3.3 V signaling specifications for the IXE5418.
Table 8
lists the current and loading specifications for the IXE5418.
Table 6.
Operating Conditions
Parameter
Sym
Min
Typ
1
1.
2.
Typical values are at 25
o
C and are for design aid only; not guaranteed and not subject to production testing.
Voltages with respect to ground unless otherwise specified.
Max
Units
Test
Conditions
Recommended Supply Voltage VDDCORE
VDDC
ORE
2.375
2.50
2.625
V
2
Recommended Supply Voltage VDDIO
VDDIO
3.135
3.3
3.456
V
2
Recommended Operating Temperature
T
op
0
50
o
C
Power Supply Current
I
DD
TBD
A
3.3V/2.5V
P
tot
6.0
W
Maximum Junction Temperature
T
jmax
110
o
C
Table 7.
3.3 V Signaling Specifications
Parameter
Symbol
Condition
Minimum
Maximum
Input high voltage
Vih
-
0.5 x Vdd
Vdd_clmp + 0.5 V
1
1.
2.
Overvoltage protection maximum is +11 V for 11 ns, through a 25
resistor.
Overvoltage protection minimum is -5.5 V for 11 ns, through a 25
resistor.
Input low voltage
Vil
-
-0.5 V
2
0.3 x Vdd
Input leakage
current
Iil
0< Vin < Vdd
-15
μ
A
15
μ
A
Output high voltage
Voh
lout = -9.3 mA
0.9 x Vdd
-
Output low voltage
Vol
lout = 15 mA
-
0.1 x Vdd
Pin capacitance
Cin
-
3 pF
7 pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXF440 | LAN HUB CONTROLLER |
| IXF6048 | Telecommunication IC |
| IXFH42N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH4N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
| IXFH50N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXEH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXEH25N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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