參數(shù)資料
型號(hào)： IXE5418
元件分類： 通信、網(wǎng)絡(luò)模塊及開發(fā)工具
英文描述： Telecomm/Datacomm
中文描述： 電信/數(shù)據(jù)通信
文件頁數(shù)： 26/30頁
文件大小： 367K
代理商： IXE5418
Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
26
Data Sheet
10.0
Feature List
Eight10/100/Gigabit port switching/routing in a single 713 pin PBGA chip
Integrated 10/100/Gigabit Ethernet MACs
On-chip storage for port transmit queues
On-chip packet storage
10/100/Gigabit ports in full duplex mode
Broadcast and multicast storm control with configurable per port settings
Link aggregation on all ports in groups up to 4 ports
Wire speed switching and routing on every port
Hardware assisted address learning and aging
10.1
Interfaces
GPCS (SERDES) and GMII interface for Gigabit ports
PCI compliant CPU interface with bus mastering capability for packet and unresolved entry
transfers to CPU. Also contains hooks to connect to a low cost I2C interface.
SSRAM interface for address table sizes up to 40,000 entries (16,000 each for Layer 2, IP and
8,000 IPX entries) with no per port limits. Address table sizes can be as large as 40,000 entries
in Layer 2 mode only.
10.2
Layer 3/Layer 4
Packet by packet IP and IPX routing in hardware
Layer 4 application level intelligence for IP switching and routing
Layer 2 switching for protocols other than IP and IPX
Automatic recognition of Ethernet Type II, 802.3, and SNAP packets
256 IP networks per device with no per port limit. The same IP network can span multiple
ports
IP nodes can belong to up to 256 multicast groups on any port
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXF440 LAN HUB CONTROLLER
IXF6048 Telecommunication IC
IXFH42N20S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR
IXFH4N100Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD
IXFH50N20S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXE611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IXE611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IXE611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXEH25N120 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEH25N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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