參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH42N170
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 80 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXBH42N170
2004 IXYS All rights reserve
IXBH 42N170
IXBT 42N170
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
15V
7V
9V
11V
13V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
1
2
3
4
5
6
7
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 42A
I
C
= 21A
V
GE
= 15V
I
C
= 84A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
2
3
4
5
6
7
8
9
10
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 84A
42A
21A
Fig. 6. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
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PDF描述
IXBH9N140G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404PI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
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參數(shù)描述
IXBH42N170A 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH5N160G 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH9N140 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD
IXBH9N140G 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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