IXBH9N140G

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操作

IXBH9N140G
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
IXYS
O6+
-
假一罰十，百分百原裝正品

IXBH9N140G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
IXYS
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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您是不是要找： IXBH9N160G IXBK55N300 IXBK75N170 IXBK75N170A IXBL20N300C IXBL60N360 IXBL64N250 IXBN42N170A IXBN75N170

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制造商
IXYS
制造商全稱
IXYS Corporation
功能描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH9N140G 技術參數(shù)

IXBF14N250 功能描述:功率驅(qū)動器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXBD4411SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXBD4411PI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXBD4410SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXBD4410PI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXBN75N170A IXBOD1-06 IXBOD1-07 IXBOD1-08 IXBOD1-09 IXBOD1-10 IXBOD1-12R IXBOD1-12RD IXBOD1-13R IXBOD1-13RD IXBOD1-14R IXBOD1-14RD IXBOD1-15R IXBOD1-15RD IXBOD1-16R IXBOD1-16RD IXBOD1-17R IXBOD1-17RD