參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH20N160
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 20 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： IXBH20N160
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXBH 20N140
IXBH 20N160
I
C
- Amperes
0
5
10
15
20
25
30
t
f
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
t
d
-
0
50
100
150
200
250
300
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 27
W
T
J
= 125
°
C
IXBH20
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 13A
T
J
= 125
°
C
Fig. 7 Typ. Fall Time
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXBH24N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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