參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH20N160
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 20 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXBH20N160
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXBH 20N140
IXBH 20N160
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
2100
140
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
20
Q
g
I
C
= 13 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
60
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
200
60
180
40
ns
ns
ns
ns
0.6 K/W
K/W
0.25
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V
3.6
5
V
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 960 V, R
G
= 27
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-247 AD Outline
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PDF描述
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IXBH24N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXBH32N300 功能描述:IGBT 3000V 80A 400W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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