參數(shù)資料
型號： IXBH20N160
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 20 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXBH20N160
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
IXBH 20N140
IXBH 20N160
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0
10
20
30
V
F
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F
0
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CE
- Volts
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4
6
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Q
G
- nanocoulombs
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V
G
0
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10
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14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
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I
C
0
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40
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70
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13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 13A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
4
5
6
7
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9
I
C
0
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13V
V
GE
= 17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
IXBH 20N140
IXBH 20N160
Fig. 1
Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3
Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5
Typ. Gate Charge characteristics
Fig. 6
Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
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PDF描述
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IXBH24N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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