參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大小： 468K
代理商： IRGS8B60K
IRGB/S/SL8B60K
www.irf.com
9
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
-200
-100
0
100
200
300
400
500
600
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Time (uS)
V
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
I
tf
Eoff Loss
90% Ice
5% Vce
5% Ice
Vce
Ice
-100
0
100
200
300
400
500
600
0.3
0.5
0.7
0.9
Time (uS)
V
-4
0
4
8
12
16
20
24
I
Eon
Loss
tr
90% Ice
10% Ice
5% Vce
Vce
Ice
Fig. WF3- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
Time (uS)
V
0
20
40
60
80
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20MD2-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20 Aluminum Screw Terminal Capacitor; Capacitance: 10000uF; Voltage: 450V; Case Size: 90x190 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20K-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 8200uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x170 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS8B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 9AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGSL10B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2PAK PACKAGE NPT 600V 10A CO-PA
IRGSL10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGSL14C40L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
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