參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 468K
代理商： IRGS8B60K
IRGB/S/SL8B60K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
100 μs
10ms
DC
1ms
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
Pt
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20MD2-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20 Aluminum Screw Terminal Capacitor; Capacitance: 10000uF; Voltage: 450V; Case Size: 90x190 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20K-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 8200uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x170 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGS8B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 9AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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IRGSL14C40L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
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