參數(shù)資料
型號： IRGS8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 468K
代理商： IRGS8B60K
IRGB/S/SL8B60K
6
www.irf.com
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.1mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 8.0A; V
GE
= 15V
0
100
200
300
400
500
RG (
)
10
100
1000
10000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.1mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 8.0A; V
GE
= 15V
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
EON
EOFF
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.1mH; V
CE
= 400V
R
G
= 50
; V
GE
= 15V
0
5
10
15
20
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
Fig. 12
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.1mH; V
CE
= 400V,
R
G
= 50
; V
GE
= 15V
0
5
10
15
20
IC (A)
0
100
200
300
400
500
600
E
EOFF
EON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20MD2-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20 Aluminum Screw Terminal Capacitor; Capacitance: 10000uF; Voltage: 450V; Case Size: 90x190 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20K-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 8200uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x170 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS8B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 9AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGSL10B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2PAK PACKAGE NPT 600V 10A CO-PA
IRGSL10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGSL14C40L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
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