參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 468K
代理商： IRGS8B60K
IRGB/S/SL8B60K
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20MD2-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20 Aluminum Screw Terminal Capacitor; Capacitance: 10000uF; Voltage: 450V; Case Size: 90x190 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20K-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 8200uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x170 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS8B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 9AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGSL10B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2PAK PACKAGE NPT 600V 10A CO-PA
IRGSL10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGSL14C40L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*