參數(shù)資料
型號： IRGS8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 468K
代理商： IRGS8B60K
IRGB/S/SL8B60K
www.irf.com
7
Fig 18.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.491 0.000190
0.409 0.001153
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
1
10
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 8.0A; L = 600μH
0
5
10
15
20
25
30
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
相關PDF資料
PDF描述
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20MD2-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20 Aluminum Screw Terminal Capacitor; Capacitance: 10000uF; Voltage: 450V; Case Size: 90x190 mm; Packaging: Bulk
IRGBC20K-S Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 8200uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x170 mm; Packaging: Bulk
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS8B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 9AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGSL10B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2PAK PACKAGE NPT 600V 10A CO-PA
IRGSL10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGSL14C40L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*