參數(shù)資料
型號： IRG4BC30K
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 137K
代理商： IRG4BC30K
IRG4BC30K
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
8
16
24
32
40
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30U-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30UDPBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP
IRG4BC30U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC30KDS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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