參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30K
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門(mén)雙極晶體管（IGBTs）（短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 137K
代理商： IRG4BC30K
IRG4BC30K
4
www.irf.com
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
4.0
T , Junction Temperature ( C)
T
°
C )
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
8
I = A
16
I = A
32
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
25
30
M
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30U-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30UDPBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP
IRG4BC30U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
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參數(shù)描述
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