參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30K
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： IRG4BC30K
IRG4BC30K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
5
10
15
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
L
0
5
10
15
20
25
30
35
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Power D issipation = 21W
Triangula r wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30U-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30UDPBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP
IRG4BC30U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
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參數(shù)描述
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