參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IRG4BC30U
Parameter
Max.
600
23
12
92
92
± 20
10
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.95V
@V
GE
= 15V, I
C
= 12A
4/17/2000
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
2 (0.07)
Max.
1.2
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
TO-220AB
Features
UltraFast: optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
www.irf.com
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30W-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4BC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4BC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4BC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30UDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRG4BC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30UD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D
IRG4BC30UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*