參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IRG4BC30U
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
G
V
A
V = 400V
I = 12A
C
0.2
0.3
0.4
0.5
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 12A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
I = 6.0A
C
I = 12A
C
I = 24A
R = 23
V = 15V
V = 480V
G E
C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30W-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
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IRG4BC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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參數(shù)描述
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