- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377516 > IRG4BC30U (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC30U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IRG4BC30U |
8
www.irf.com
0.55 (.022)
0.46 (.018)
3 X
2.92 (.115)
2.64 (.104)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
- B -
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
6.47 (.255)
6.10 (.240)
1.15 (.045)
MIN
4.06 (.160)
3.55 (.140)
3 X
3.96 (.160)
3.55 (.140)
3 X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.36 (.014) M B A M
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1.40 (.055)
1.15 (.045)
3 X
2.54 (.100)
2X
1 2 3
4
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB
Dimensions in Millimeters and (Inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLE CTOR
3 - EMITTER
4 - COLLE CTOR
NOTES:
1 DIMENSIONS & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTR OLLIN G DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS ARE SHOW N
MILLIMETER S (IN CHES ).
4 CONFORMS TO JEDEC OU TLINE
TO-220AB.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 4/00
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30W-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4BC40FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT |
| IRG4BC40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| IRG4BC40SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT |
| IRG4BC40UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC30UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
| IRG4BC30UDHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRG4BC30UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30UD-S | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D |
| IRG4BC30UPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。