參數(shù)資料
型號： IRG4BC30U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 167K
代理商： IRG4BC30U
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
I
V , Collector-to-Em itter Voltage (V)
T = 150
°
C
J
T = 25
°
C
J
V = 15V
20μs PULSE W IDTH
A
0.1
1
10
100
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 10V
5μs PULSE W IDTH
0
5
10
15
20
25
30
35
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power D issipation = 21W
Triangula r wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30W-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4BC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4BC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4BC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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參數(shù)描述
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