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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFY044CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 60V 0.040Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(60V 0.040Ω N溝道 HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 60V的0.040ΩN溝道HEXFET功率MOSFET（60V的0.040Ω?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | IRFY044CM |
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
IRFY044CM Device
0
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
2 5
5 0
7 5
1 0 0
1 2 5
1 5 0
1 7 5
E
A
A
S tarting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I = 51A
0.01
0.00001
0.1
.1
1
10
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
(THSINGLE PULSE
1
T
t
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PDF描述 |
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