參數(shù)資料
型號: IRFY044CM
廠商: International Rectifier
英文描述: 60V 0.040Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(60V 0.040Ω N溝道 HEXFET 功率 MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 60V的0.040ΩN溝道HEXFET功率MOSFET(60V的0.040Ω?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管)
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代理商: IRFY044CM
Fig. 10a — Switching Time Test Circuit
Fig. 10b — Switching Time Waveforms
Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward
Voltage
IRFY044CM Device
0
10
20
30
40
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
LIMITED BY PACKAGE
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
J
C
o
o
V , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area
I
D
10us
100us
1ms
10ms
I
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PDF描述
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