參數(shù)資料
型號： IRF742FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 4.5AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRF742FI
IRF7343
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-3.5V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-3.0V
Fig 14.
Typical Transfer Characteristics
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Fig 15.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
P-Channel
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-3.5V
-3.0V
-VDS
-
D
-3.0V
1
10
100
3
4
5
6
7
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
-4.5V
-12V
相關PDF資料
PDF描述
IRF7343 Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場效應管)
IRF750A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
IRF7756 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP
IRF7809 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO
IRF7811 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 14A I(D) | SO
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF742R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
IRF743 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7433 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7433 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8
IRF7433.PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8
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