型號: | IRF7421D1 |
英文描述: | 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
中文描述: | 30V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝 |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大?。?/td> | 149K |
代理商: | IRF7421D1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF7422D2 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO |
IRF742FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
IRF7343 | Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場效應(yīng)管) |
IRF750A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
IRF7756 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF7421D1_98 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode |
IRF7421D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7421D1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF7421D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7422D2 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8 |