參數(shù)資料
型號(hào): IRF7421D1
英文描述: 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
中文描述: 30V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝
文件頁(yè)數(shù): 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商: IRF7421D1
IRF7343
1
10
100
3
4
5
6
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
N-Channel
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
4.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
6.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
4.5V
4.5V
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
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PDF描述
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IRF7421D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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