參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： IRF7410
IRF7410
www.irf.com
7
Fig 15. Typical Vgs(th) Vs.
Junction Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
GS(th)
(
V
)
ID = -250A
Fig 16. Typical Power Vs. Time
0.0001
0.0010
0.0100
0.1000
1.0000 10.0000 100.0000
Time (sec)
0
100
200
300
400
500
600
700
Power
(W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7413Z HEXFET Power MOSFET
IRF820AS 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF9610 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFBF20STRR 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFBC20STRR 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7410GPBF 功能描述:MOSFET P-Ch HEXFET -12V 7mOhm -16A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin SOIC
IRF7410PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8
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