參數(shù)資料
型號： IRF7410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： IRF7410
IRF7410
www.irf.com
5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal
Response
(Z
)
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
T , Case Temperature ( C)
-I
,
Drain
Current
(A)
°
C
D
VDS
VGS
Pulse Width
≤ 1 s
Duty Factor
≤ 0.1 %
RD
VGS
VDD
RG
D.U.T.
+
-
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off)
tf
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7413Z HEXFET Power MOSFET
IRF820AS 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF9610 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFBF20STRR 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFBC20STRR 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7410PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8
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