參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： IRF7410
IRF7410
www.irf.com
3
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
-I
D
,Drain-to-Source
Current
(A)
-1.0V
20s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
-1.2V
BOTTOM -1.0V
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
-I
D
,Drain-to-Source
Current
(A)
-1.0V
20s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
-1.2V
BOTTOM -1.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
,
Drain-to-Source
On
Resistance
(Normalized)
J
DS(on)
°
V
=
I =
GS
D
-4.5V
-16A
1
10
100
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
= -10V
20s PULSE WIDTH
DS
-V
, Gate-to-Source Voltage (V)
-I
,
Drain-to-Source
Current
(A)
GS
D
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
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PDF描述
IRF7413Z HEXFET Power MOSFET
IRF820AS 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF9610 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFBF20STRR 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFBC20STRR 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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參數(shù)描述
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IRF7410TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8
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