參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 102K
代理商： IRF7410
IRF7410
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
Q , Total Gate Charge (nC)
-V
,
Gate-to-Source
Voltage
(V)
G
GS
I =
D
-16A
V
=-9.6V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
,Source-to-Drain Voltage (V)
-I
,
Reverse
Drain
Current
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
= 150 C
= 25 C
°
J
C
-V
, Drain-to-Source Voltage (V)
-I
,
Drain
Current
(A)
I
,
Drain
Current
(A)
DS
D
100us
1ms
10ms
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
C,
Capacitance(pF)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7413Z HEXFET Power MOSFET
IRF820AS 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF9610 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFBF20STRR 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFBC20STRR 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7410GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin SOIC
IRF7410PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7410TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8
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