參數(shù)資料
型號： IRF7410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： IRF7410
IRF7410
6
www.irf.com
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
R
DS(on)
,
Drain-to
-Source
On
Resistance
(
)
ID = -16A
0.0
10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 60.0 70.0
-ID , Drain Current ( A )
0
0.005
0.01
0.015
0.02
RDS
(
on
)
,
Drain-to-Source
On
Resistance
(
)
VGS= -2.5V
VGS= -1.8V
VGS= -4.5V
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
-3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
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PDF描述
IRF7413Z HEXFET Power MOSFET
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