參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6643TRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET - Typical value (unless otherwise specified)
中文描述： DirectFET功率MOSFET -典型值（除非另有說明）
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大小： 269K
代理商： IRF6643TRPBF
www.irf.com
7
Fig 18.
for HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#""
"#""&#
$%%
DirectFET
(Medium Size Can, Z-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Substrate and PCB Layout, MZ Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF6648 DirectFET Power MOSFET
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IRF6668TRBF DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6644PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6644TR1 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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