參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6636
廠商： International Rectifier
英文描述： Low Resistance and Low Charge Along With Ultra Low Package Inductance to Reduce
中文描述： 低電阻和低電荷隨著超低封裝電感減少
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 238K
代理商： IRF6636
IRF6636
8
www.irf.com
DirectFET
Outline Dimension, ST Outline
(Small Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DirectFET
Part Marking
Note: Controlling
dimensions are in mm
MAX
0.191
0.156
0.112
0.018
0.024
0.024
0.031
0.022
0.012
0.039
0.090
0.028
0.003
MIN
0.187
0.146
0.108
0.014
0.023
0.023
0.030
0.021
0.010
0.035
0.086
0.023
0.001
MAX
4.85
3.95
2.85
0.45
0.62
0.62
0.79
0.57
0.30
0.98
2.28
0.70
0.08
MIN
4.75
3.70
2.75
0.35
0.58
0.58
0.75
0.53
0.26
O.88
2.18
0.59
0.03
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF6636TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6636TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 15A, DIRECTFET ST
IRF6636TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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