參數(shù)資料
型號： IRF6618TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 230K
代理商： IRF6618TR1
www.irf.com
7
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 16.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
Fig 17.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF6618TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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IRF6619 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
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