參數(shù)資料
型號： IRF640NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 18A條）
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IRF640NS
IRF640N/S/L
www.irf.com
9
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6610 HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
IRF6618TR1 Power MOSFET
IRF6618 HEXFET Power MOSFET
IRF6621 The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance
IRF6622 DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF640NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF640NSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
IRF640NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 200 V 150 W 67nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
IRF640NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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