參數(shù)資料
型號： IRF640NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 18A條）
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 155K
代理商： IRF640NS
www.irf.com
4
IRF640N/S/L
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
2500
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
11A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
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